Инвентаризация:7232

Технические детали

  • Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta), 4A (Ta)
  • Глубина 418pF @ 10V, 880pF @ 6V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 5A, 4.5V, 51mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Тип симистора 7.65nC @ 4.5V, 5.41nC @ 10V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN2020-6L

Сопутствующие товары


MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60

Инвентаризация: 3134

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN

Инвентаризация: 8417

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

Инвентаризация: 8980

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

Инвентаризация: 23674

Top