Инвентаризация:25174

Технические детали

  • Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 6.25W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.6A (Tc), 9A (Tc)
  • Глубина 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
  • Тип симистора 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate, 1.8V Drive
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-TDFN (2x2)

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN

Инвентаризация: 68488

MOSFET N/P-CH 20V 6A/4A 6DFN

Инвентаризация: 5732

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN

Инвентаризация: 13982

Top