- Модель продукта TSM200N03DPQ33 RGG
- Бренд TSC (Taiwan Semiconductor)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:15482
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 20W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Глубина 345pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 4nC @ 4.5V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PDFN (3x3)
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Инвентаризация: 80560
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Инвентаризация: 17068
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Инвентаризация: 23674
