- Модель продукта SQJB68EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 27W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Глубина 280pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 92mOhm @ 4A, 10V
- Тип симистора 8nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Инвентаризация: 14398
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 39512
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Инвентаризация: 80560
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Инвентаризация: 2680
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Инвентаризация: 2887
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Инвентаризация: 17948
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 3857
