Инвентаризация:69988

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel, Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.5W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A, 18.5A
  • Глубина 170pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 4A, 10V
  • Тип симистора 10nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC

Инвентаризация: 179829

MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L

Инвентаризация: 37181

MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

Инвентаризация: 46633

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/14A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

Инвентаризация: 23674

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN

Инвентаризация: 5100

Top