Инвентаризация:181329

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel, Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A, 5.5A
  • Глубина 310pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 6.3nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 1060579

MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

Инвентаризация: 46633

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

Инвентаризация: 145945

MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO

Инвентаризация: 3629

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

Инвентаризация: 7712

MOSFET N/P-CH 30V 8SO

Инвентаризация: 13211

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

Инвентаризация: 25813

Top