Инвентаризация:5129

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.1A, 7A
  • Глубина 404.5pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 9.2nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC

Инвентаризация: 179829

MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO

Инвентаризация: 34344

MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT26

Инвентаризация: 195294

MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO

Инвентаризация: 250843

MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO

Инвентаризация: 9129

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

Инвентаризация: 28449

Top