Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel, Common Drain (Complementary)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.5W (Ta), 7W (Tc), 1.5W (Ta), 20.8W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Ta), 14A (Tc), 5.7A (Ta), 21A (Tc)
  • Глубина 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 6.5A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 3.4A 6TSOP

Инвентаризация: 162187

MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

Инвентаризация: 46633

MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN

Инвентаризация: 68488

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Инвентаризация: 177478

Top