Инвентаризация:9917

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.4W
  • Внутренняя отделка контактов 12V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.6A, 3.8A
  • Глубина 914pF @ 6V
  • Сопротивление при 25°C 29mOhm @ 5A, 4.5V
  • Тип симистора 19.6nC @ 8V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение U-DFN2020-6 (Type B)

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN

Инвентаризация: 4175

MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 20V 6A/4A 6DFN

Инвентаризация: 5732

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

Инвентаризация: 8980

Top