Инвентаризация:19178

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 870mW
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 800mA, 680mA
  • Глубина 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 700mOhm @ 1.5A, 10V
  • Тип симистора 2.9nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN

Инвентаризация: 8665

MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 75349

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 39597

MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO

Инвентаризация: 6583

GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 72544

MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN

Инвентаризация: 4901

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Инвентаризация: 22508

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Инвентаризация: 22383

Top