Инвентаризация:24008

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 870mW
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.39A, 1.28A
  • Глубина 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 250mOhm @ 1.8A, 10V
  • Тип симистора 3.2nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 394

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 39597

IC GATE AND 2CH 2-INP 8VSSOP

Инвентаризация: 98001

MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO

Инвентаризация: 17678

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO

Инвентаризация: 21289

Top