Инвентаризация:8083

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.6W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.1A, 2.4A
  • Глубина 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 1A, 10V
  • Тип симистора 11.5nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 75349

MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 394

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 39597

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO

Инвентаризация: 21289

MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO

Инвентаризация: 115838

Top