Инвентаризация:11677

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.8W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2A
  • Глубина 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 230mOhm @ 1A, 10V
  • Тип симистора 9.2nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

Инвентаризация: 432286

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

Инвентаризация: 6805

MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET

Инвентаризация: 22347

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Инвентаризация: 46529

MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC

Инвентаризация: 3947

MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP

Инвентаризация: 5877

MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP

Инвентаризация: 4896

MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8

Инвентаризация: 115

Top