- Модель продукта UT6ME5TCR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1615
Технические детали
- Тип монтажа 6-PowerUDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Ta), 1A (Ta)
- Глубина 90pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
- Тип симистора 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение HUML2020L8