Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
• Глубина 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
• Тип симистора 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC