Инвентаризация:7582

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Смываемый 2.4W, 3.4W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A, 2.8A
  • Глубина 360pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 57mOhm @ 2A, 10V
  • Тип симистора 11.5nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 100V 2.7A PPAK1212

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP

Инвентаризация: 1063

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO

Инвентаризация: 10177

Top