- Модель продукта SIS590DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 100V 2.7A PPAK1212
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
- Глубина 265pF 2 50V, 325pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual