Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
  • Глубина 265pF 2 50V, 325pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC

Инвентаризация: 6082

Top