- Модель продукта SH8M51GZETB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:6396
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.4W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta), 2.5A (Ta)
- Глубина 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
- Тип симистора 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP