Инвентаризация:6396

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.4W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta), 2.5A (Ta)
  • Глубина 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
  • Тип симистора 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

Инвентаризация: 35306

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO

Инвентаризация: 10177

Top