- Модель продукта SIR462DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.9mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 30 nC @ 10 V
- 1155 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Инвентаризация: 19376
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Инвентаризация: 4995
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Инвентаризация: 51496
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Инвентаризация: 20760
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3048
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
