- Модель продукта SIR422DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:52996
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6.6mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 34.7W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 48 nC @ 10 V
- 1785 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Инвентаризация: 48663
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 57700
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 54788
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Инвентаризация: 349
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Инвентаризация: 61064
