- Модель продукта SIR818DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:4548
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 5.2W (Ta), 69W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 95 nC @ 10 V
- 3660 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 18478
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Инвентаризация: 51496
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 36148
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
