- Модель продукта SIR836DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 18 nC @ 10 V
- 600 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Инвентаризация: 4590
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 54788
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5304
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Инвентаризация: 6763
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Инвентаризация: 7959
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
