- Модель продукта SI7450DP-T1-E3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6495
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 1.9W (Ta)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 42 nC @ 10 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Инвентаризация: 7074
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Инвентаризация: 1898
