- Модель продукта SIR466DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 54W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 65 nC @ 10 V
- 2730 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Инвентаризация: 41854
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Инвентаризация: 15367
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Инвентаризация: 51496
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 36148
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3316
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 8248
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5984
