- Модель продукта GT060N04T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET N-CH 40 60A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 48W (Tc)
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Инвентаризация: 3559
MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Инвентаризация: 3000
N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Инвентаризация: 13
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Инвентаризация: 3000
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Инвентаризация: 21
MOSFET N-CH 40V 70A TO-220
Инвентаризация: 3000
N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Инвентаризация: 65
MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Инвентаризация: 184
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Инвентаризация: 5000
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Инвентаризация: 50419
