- Модель продукта G50N03J
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-251-3 Stub Leads, IPAK
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 48W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-251
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 16.6 nC @ 10 V
- 1255 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Инвентаризация: 3529
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Инвентаризация: 188
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Инвентаризация: 5000
N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Инвентаризация: 13
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Инвентаризация: 3000
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Инвентаризация: 3000
MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 3
Инвентаризация: 733
MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Инвентаризация: 184
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Инвентаризация: 5000
