- Модель продукта G60N06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 85W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
TRANS PNP 230V 15A TO3P
Инвентаризация: 6881
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Инвентаризация: 188
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Инвентаризация: 5000
MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Инвентаризация: 15000
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Инвентаризация: 3559
MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Инвентаризация: 3000
MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Инвентаризация: 184
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Инвентаризация: 5000
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Инвентаризация: 0
