- Модель продукта GT040N04TI
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1565
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 110A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 160W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 50 nC @ 10 V
- 2303 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Инвентаризация: 16
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Инвентаризация: 5000
MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Инвентаризация: 184
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Инвентаризация: 5000
