- Модель продукта GT025N06AT
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6500
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 170A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 215W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Инвентаризация: 96
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Инвентаризация: 1000
N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Инвентаризация: 65
