- Модель продукта GT035N06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1596
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 170A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 215W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 70 nC @ 10 V
- 5064 pF @ 30 V