- Модель продукта G900P15D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 100W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 27 nC @ 10 V
- 4050 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Инвентаризация: 42
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Инвентаризация: 0
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Инвентаризация: 1931
MOSFET P-CH 150V 50A TO-252
Инвентаризация: 2500
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Инвентаризация: 19232
