Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.4A (Ta), 22A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 53mOhm @ 4.4A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 150 V
  • 63 nC @ 10 V
  • 3905 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


RELAY TIME DELAY 720HR 16A 250V

Инвентаризация: 4

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN

Инвентаризация: 4262

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

Инвентаризация: 90

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

Top