- Модель продукта G2002A
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 540mOhm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-6L
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 16 nC @ 10 V
- 733 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Инвентаризация: 105581
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Инвентаризация: 164254
N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 956
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Инвентаризация: 117000
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 1757
MOSFET N-CH 190V 3A SOT-23-3L
Инвентаризация: 57000
N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Инвентаризация: 702
MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-223
Инвентаризация: 10000
N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Инвентаризация: 2778
MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6
Инвентаризация: 24000
