- Модель продукта G7K2N20HE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 700mOhm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 1.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 10.8 nC @ 10 V
- 568 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Инвентаризация: 23651
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Инвентаризация: 14981
N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 956
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Инвентаризация: 117000
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Инвентаризация: 12678
MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R
Инвентаризация: 1065
