- Модель продукта G2003A
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 540mOhm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 1.8W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 190 V
- 12 nC @ 10 V
- 580 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Инвентаризация: 1313
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Инвентаризация: 6147
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Инвентаризация: 826
MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Инвентаризация: 42000
N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 956
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Инвентаризация: 117000
