- Модель продукта G01N20LE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 700mOhm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 1.5W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 600V 38A TO220F
Инвентаризация: 924
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Инвентаризация: 6569
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Инвентаризация: 6635
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 1757
MOSFET N-CH 190V 3A SOT-23-3L
Инвентаризация: 57000
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Инвентаризация: 1588
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Инвентаризация: 5345
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Инвентаризация: 42946
