Инвентаризация:165754

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 700mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 970mOhm @ 100mA, 5V
  • Материал феррулы 460mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Длина ремня 1.2V, 5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.5 nC @ 4.5 V
  • 46.1 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR

Инвентаризация: 29014

MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411

Инвентаризация: 54914

Top