Инвентаризация:24973

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 27W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Глубина 1055pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 26886

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

Инвентаризация: 112029

MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8

Инвентаризация: 12173

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 8783

Top