Инвентаризация:10283

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 34W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Глубина 1900pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 8A, 10V
  • Тип симистора 35nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8

Инвентаризация: 12173

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Инвентаризация: 4944

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 23473

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 9000

Top