- Модель продукта SIZF906BDT-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:23809
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
- Глубина 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
- Тип симистора 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (6x5)