- Модель продукта SIZ998BDT-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:19212
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
- Глубина 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
- Тип симистора 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (6x5)