Инвентаризация:5400

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual), Schottky
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 20.2W, 32.9W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc), 60A (Tc)
  • Глубина 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
  • Тип симистора 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (6x5)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 7148

MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 17712

Top