Инвентаризация:3490

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.1W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 47A (Tc)
  • Глубина 2101pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 18A, 10V
  • Тип симистора 15.6nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.2V @ 400µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI3333-8 (Type G)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333

Инвентаризация: 2990

MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 22309

Top