Инвентаризация:3711

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual), Schottky
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
  • Глубина 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (6x5)

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

Инвентаризация: 5822

MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK

Инвентаризация: 6698

MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 22309

Top