Инвентаризация:8865

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W
  • Внутренняя отделка контактов 25V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19A, 41A
  • Глубина 1100pF @ 12V
  • Сопротивление при 25°C 3mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 8.4nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TISON-8

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

Инвентаризация: 77049

MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON

Инвентаризация: 4190

MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3

Инвентаризация: 1509

MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3

Инвентаризация: 35575

MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6

Инвентаризация: 27225

Top