Инвентаризация:1763

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 63A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 43mOhm @ 40A, 15V
  • Материал феррулы 283W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 11.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 1200 V
  • 114 nC @ 15 V
  • 3357 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


CURRENT SENSOR 5 MHZ

Инвентаризация: 2131

SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

Инвентаризация: 743

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top