- Модель продукта TP65H150G4LSG-TR
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание 650 V 13 A GAN FET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 3-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 500µA
- Пакет устройств поставщика 3-PQFN (8x8)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 598 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Инвентаризация: 3352
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Инвентаризация: 4885
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
Инвентаризация: 450
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
Инвентаризация: 180
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
650 V 25 A GAN FET
Инвентаризация: 1630
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Инвентаризация: 6507
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Инвентаризация: 2815
