- Модель продукта TP65H300G4LSG-TR
- Бренд Transphorm
- RoHS 0
- Описание GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 3-PowerDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 312mOhm @ 5A, 8V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 21W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 500µA
- Пакет устройств поставщика 3-PQFN (8x8)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V
- ВГС (Макс) ±18V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.6 nC @ 8 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 760 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Инвентаризация: 167
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 978
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Инвентаризация: 2240
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Инвентаризация: 12335
GAN FET N-CH 650V PQFN
Инвентаризация: 2834
650 V 13 A GAN FET
Инвентаризация: 5887
MOSFET 650V, 480mOhm
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Инвентаризация: 2815
