- Модель продукта TP65H035G4WS
- Бренд Transphorm
- RoHS 0
- Описание GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C
- Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 0 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 815
GANFET N-CH
Инвентаризация: 2923
HIGH POWER_NEW
Инвентаризация: 231
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 302
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Инвентаризация: 1076
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Инвентаризация: 6507
