- Модель продукта TP65H015G5WS
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание 650 V 95 A GAN FET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 93A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 60A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 266W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 2mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5218 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
650V 45 M SIC MOSFET
Инвентаризация: 475
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Инвентаризация: 263
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 815
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Инвентаризация: 131
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
650 V 46.5 GAN FET
Инвентаризация: 281
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 302
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Инвентаризация: 107
MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Инвентаризация: 1694
